Розробка нових електроенергійних од

Розробка нових електроенергійних одиниць допомагає збільшити частоту перемикання, а потужність MOSFET та IGBT може бути 400 кГц (AC / DC) або 1MГц (DC/ДС) діяльність частоти; технологія меккого перемикання дозволяє виробнити високочастотні перемикачі, які не тільки можуть зменшити об’ єм і вагу постачання електроенергією, але й покращити його ефективність; виробництво половипровідникових чипів не тільки значно спрощує електроенергійний об’ є

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新功率单元的开发提高了开关频率，而MOSFET和IGBT功率允许400khz AC DC或1mhz DC工作频率；软开关技术允许生产高频开关，不仅减小了体积和重量的电源供应还可以提高效率

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新电源单元的开发增加了更换频率，而MOSFET和IGBT电源允许400khz交流直流或1mhz直流工作频率、软开关技术，帮助产生高频开关，这不仅降低了电源的体积和重量，而且提高了其效率。

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在MOSFET和IGBT功率允许400KHz直流或1MHz直流频率的技术工作，一个新的功率单元的发展提高了开关频率。软开关技术允许高频开关的生产，这不仅有助于减少电源的数量和重量，而且提高效率。下摆<br>

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