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เนื่องจากสังกะสีออกไซด์ (ZnO) เป็นวัสดุกึ่งตัวนําที่เป็นพิษต่ําราคาถูกเป็นวงกว้าง N -ห้าม (Eg-3.37aV) มันถูกใช้กันอย่างแพร่หลายในคอมโพสิตวัสดุกึ่งตัวนําแคบวงอื่น ๆ เพื่อศึกษาคุณสมบัติใหม่ F.X. Xiu และคนอื่น ๆ เตรียมฟิล์มชนิด p แรกที่เจือด้วยการขยายลําแสงโมเลกุล (MBE); Cu2S มีการวิจัยอย่างกว้างขวางและการใช้งานในเซลล์แสงอาทิตย์, photocatalytic, ในเวลาเดียวกัน N-type ZnO และ P-type Cu2S หน่วยโครงสร้างนาโนมีดี compounding, สร้างจํานวนมากของ P-N แยกที่อินเตอร์เฟซ.

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由于氧化锌（ZnO）是一种低价，低质量，无毒，无毒的半导体（Eg-3.37aV），因此广泛用于其他窄带半导体复合材料以研究其性能。 New FX Xiu等人制备了第一个掺杂有分子放大（MBE）的p型膜； Cu2S在太阳能电池，光催化以及N型ZnO和P-型Cu2S纳米结构单元具有良好的配合，在界面处产生大量的PN结。

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由于氧化锌钬ZnO 41是一种低成本的半有毒材料，被广泛使用的N-禁忌钬Eg-3.37A41V。它被广泛用于各种场合。研究了新的性能，f.x.xu和其他制备的第一个P型薄膜的分子放大。分子钬MBE 41和Cu2S广泛的研究和应用于太阳能电池的光催化，同时，N型ZnO和P型Cu2S的结构单元具有良好的化合物。创建P-N在界面上的许多分离。<br>

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