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เมื่อเร็ว ๆ นี้, เขา et al. รายงานว่าโดยการเปลี่ยนสารตั้งต้นไฮดรอกไซด์, โครงสร้างที่ซับซ้อนของดอกไม้ ZnO ถูกสังเคราะห์, ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของ ZnO นาโนชิปที่มีพื้นผิวคริสตัลสัมผัสสูง. สารตั้งต้นไฮดรอกไซทําหน้าที่เป็นทั้งแหล่งที่มาของสังกะสีและแม่แบบการเจริญเติบโตซึ่งยับยั้งการเจริญเติบโตของ ZnO ตามแกน c ในขณะที่การส่งเสริมการเจริญเติบโตที่เหนือกว่าของนาโนชิปในทิศทาง{1010} โครงสร้างผลึกสุดท้ายเกือบ 50% ของพื้นผิวคริสตัลสัมผัสคือ (0001) พื้นผิว นอกจากนี้เมื่อเทียบกับบล็อก ZnO นี้ ZnO โครงสร้างวงค่าช่องว่างมีขนาดเล็กความสามารถในการตอบสนองแสงที่มองเห็นได้มีความแข็งแรงมาก

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He等人最近报道说，通过改变氢氧化物前体，合成了ZnO花的复杂结构，该结构主要由具有高接触晶体表面的ZnO纳米芯片组成。氢氧化物底物既充当锌源又充当生长模型，其抑制ZnO沿c轴生长，同时促进纳米芯片在{1010}方向上的优异生长。最终的晶体结构几乎是暴露的晶体表面的50％是（0001）表面，此外，与该ZnO块相比，ZnO带结构的间隙值很小，可见光的能力非常强。

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最近，他等人报告说，通过取代氢氧化前体，合成了zno花的复杂结构，主要由具有高暴露晶体表面的ZnO纳米芯片组成。氢氧化前体既是锌的来源，也是生长模板，抑制ZnO沿芯的生长。c 在促进纳米芯片向{1010}方向的卓越增长的同时。最终晶体结构几乎是接触晶体表面的50%是（0001）表面。此外，与这个ZnO块相比，ZnO间隙值带结构小，对可见光的响应能力很强。

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最近，他说，一个初步的红蜘蛛的变化，合成ZnO花的复杂结构，包括大多数的ZnO Nazipat具有高的晶体表面。防冻剂都是锌的来源和模板。增长，抑制ZnO的增长，同时促进NACH优越的增长方向。最后的晶体结构接近50%s的触晶面钬00041 just41表面。此外，与此相比，ZnO块，ZnO的间隙结构。较小的可见光响应能力很强。<br>

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